OptoCplrLT芯片采用独特的低损耗光转弯镜设计，使得光能够顺畅地在SiPh光栅耦合器中传递，无需依赖耐弯曲光纤解决方案。这些传统解决方案不仅成本高、技术复杂，而且在尺寸和形状上存在诸多限制。OptoCplrLT的低剖面接口设计，其高度小于1.5mm，有效解决了占地面积问题，实现了紧凑的接口布局，从而降低了封装限制。
此外，OptoCplrLT兼容行业标准材料和工艺，如玻璃芯片的热膨胀系数与硅芯片相匹配，有助于提升性能。
Optoscribe的高速激光写入技术为阵列图案化提供了3D灵活性，能在玻璃中创建高精度、可控的微结构。这种新颖的两阶段玻璃微结构化工艺，利用聚焦的超短脉冲激光在次表面材料上形成图案，并通过快速扫描玻璃三维形状，实现提高蚀刻速度的目的。
与传统硅图案化技术相比，激光诱导的选择性蚀刻在适应性方面更具优势。硅图案化依赖于现有的MEMS技术和制造设施，通常只能生产标准厚度的硅片，而二维阵列需要几毫米的厚度来保证机械刚性和完整性。因此，三个硅图案化的二维阵列通常需要堆叠和粘合，这不仅增加了不必要的加工步骤和成本，还可能引入新的堆叠错位误差。相比之下，激光诱导的选择性蚀刻可以在更厚的玻璃基板上进行，如2mm，有效解决了这一问题。
OptoCplrLT的发布，不仅为集成光学元件市场带来了新的选择，也为高速激光写入技术在微结构制造领域的应用提供了新的可能。随着技术的不断发展和完善，相信Optoscribe Ltd将为我们带来更多创新产品，推动行业迈向更高的水平。
日前，集成光学元件制造商Optoscribe Ltd基于其专有的高速激光写入技术，推出最新款单片玻璃芯片OptoCplrLT，克服光纤与硅光子学光栅耦合器进行低损耗耦合的挑战，以实现大批量自动化组装，并帮助降低成本。
据了解，该高速激光写入技术的特点是在玻璃中形成独特的低损耗光转弯镜，可将光引导到SiPh光栅耦合器或从SiPh光栅耦合器发出，避免了对耐弯曲光纤解决方案的需求。这些解决方案通常是昂贵和具有挑战性的，并且在尺寸和外形上有一些显著的限制。为了帮助解决占地面积的挑战，OptoCplrLT具有高度小于1.5mm的低剖面接口，可实现紧凑的接口布局，从而减轻封装限制。同时，还兼容行业标准的材料和工艺，例如玻璃芯片的热膨胀系数与硅芯片相匹配，有助于最大限度地提高性能。
Optoscribe的高速激光诱导选择性蚀刻工艺为阵列的图案化提供了完全的3D灵活性，并能在玻璃中创建高精度、可控的微结构。这是一种新颖的两阶段玻璃微结构化工艺，它使用聚焦的超短脉冲激光诱导次表面材料图案化，并定位到激光束的焦点。通过快速扫描玻璃内的三维形状，创建了提高蚀刻速度的区域，这样在将基材暴露于湿化学蚀刻时，照射的区域会优先蚀刻。
激光诱导的选择性蚀刻与硅图案的主要区别在于它的适应性，这是一个快速发展行业的关键因素。例如，由于硅图案化依赖于现有的MEMS技术和制造设施，用于制造2D阵列的工具只能生产标准的硅片厚度，通常是650微米厚。鉴于二维阵列需要几毫米的厚度，以提供机械刚性和完整性来保持光纤的位置，三个硅图案化的二维阵列通常被堆叠和粘合在一起以产生所需的厚度。这不仅产生了额外的不必要的加工步骤和成本，而且还引入了一个潜在的新的堆叠错位误差。相比之下，激光诱导的选择性蚀刻可以在实质上更厚的玻璃基板上进行，如2mm。
