然而，尽管10G万兆以太网技术有了显著提升，但在实际应用中，仍面临着一些挑战，例如静电浪涌和雷击等。这些因素可能会干扰网络信号的稳定性，降低传输速率，甚至损坏网络设备。因此，对于10G万兆以太网网口的防护，尤其是静电浪涌和雷击防护，显得尤为重要。
为了解决这个问题，我们需要设计一个有效的防护方案。首先，我们需要选择合适的防护器件。在这方面，陶瓷气体放电管和TVS二极管阵列是两种常用的选择。陶瓷气体放电管可以有效地将浪涌电流泄放到大地，而TVS二极管阵列则可以保护网络设备免受电压浪涌的损害。
以某公司的10G万兆以太网网口防护方案为例，该方案采用了陶瓷气体放电管和TVS二极管阵列的组合。在这个方案中，陶瓷气体放电管作为第一级防护，将浪涌电流泄放到大地。而TVS二极管阵列则作为第二级防护，用于保护网络设备免受电压浪涌的损害。
具体来说，该方案使用的陶瓷气体放电管型号为3R90A-TP1，而TVS二极管阵列型号为DWC0325B。这些器件的参数均符合国际标准，如IEC 61000-4-5和IEC 61000-4-2等，可以保证其在各种环境下的防护效果。
值得一提的是，由于10G万兆以太网的传输速率很高，因此对ESD静电防护器件的残压、结电容，漏电流等细节参数都有严格的要求。DWC0325B是一款专为10G万兆以太网Ethernet网口静电保护设计的TVS二极管阵列，其结电容低至0.22pF，非常适合用于5G、10G的高速信号传输，保障信号的完整性。
总之，10G万兆以太网作为一种高性能的网络技术，已经广泛应用于各种场景。然而，在实际应用中，静电浪涌和雷击等可能会对其造成损害。因此，我们需要采取有效的防护措施，如采用陶瓷气体放电管和TVS二极管阵列等，以保障10G万兆以太网的稳定运行。同时，我们也应该关注防护器件的参数选择，以确保其在各种环境下的防护效果。只有这样，我们才能更好地发挥10G万兆以太网的潜力，推动网络技术的发展。
以太网Ethernet是一系列常用于局域网LAN、城域网MAN和广域网WAN的计算机网络技术。以太网的已经经历了4个发展阶段：以太网→快速以太网→1000M千兆以太网→10G万兆以太网。由此可知，10G（万兆）以太网是传统以太网技术的一次很大升级，在原有1000M千兆以太网的基础上将传输速率提高了10倍，传输距离也大大增加，摆脱了传统以太网只能应用于局域网范围的限制，使以太网延伸到了城域网和广域网。
一般的静电浪涌会干扰到网络信号的稳定性及传输速率，同时由于网口电缆线都是由室外迁入，线缆杂乱缠绕情况普遍，遇到雷雨天气情况，更容易遭受雷击干扰。因此对于10G（万兆）以太网网口，都会对其进行静电放电测试以及雷击浪涌测试。可见，10G（万兆）以太网网口静电浪涌和雷击防护不容忽视。那么，如何保护10G以太网网口免受浪涌静电威胁和损坏呢？接下来，东沃电子技术针对10G（万兆）以太网网口浪涌静电问题，进行防护方案设计、陶瓷气体放电管和TVS二极管阵列选型推荐。
10G（万兆）以太网Ethernet网口浪涌静电防护方案图
10G（万兆）以太网Ethernet网口浪涌静电防护方案说明
从方案图可知，10G（万兆）以太网网口浪涌静电防护电路图与100M（百兆）、1000M（千兆）以太网网口浪涌静电保护电路图类似。第一级防护，东沃电子技术推荐选用陶瓷气体放电管3R90A-TP1，将浪涌电流泄放到大地。第二级防护，选用TVS二极管阵列DWC0325B，工作电压3.3V、峰值脉冲电流6A@8/20μs、低钳位电压5.5V@Ipp=6A、DFN1006封装、结电容低至0.22pF，适合用于5G 、10G的高速信号传输，保障信号的完整性。本方案符合标准：
IEC 61000-4-5 1.2/50μ S & 8/20μ S 阻抗 (2Ω ) 差模：6KV 共模：6KV
IEC 61000-4-2 (ESD): ±15kV (Contact), ±20kV (Air)
10G（万兆）以太网Ethernet网口浪涌静电防护器件参数
1）陶瓷气体放电管3R90A-TP1参数
查看东沃电子“GDT-3R90A-TP1 Datasheet”规格书可知：
2）TVS二极管阵列DWC0325B参数
查看东沃电子“ESD-DWC0325B Datasheet”规格书可知：
注意：10G万兆以太网网口传输速率很高，为此对ESD静电防护器件的残压、结电容，漏电流等细节参数都有严格的要求。DWC0325B，10G（万兆）以太网Ethernet网口静电保护专用TVS二极管阵列。
审核编辑：刘清
