美国加州大学柏克莱分校等机构的研究人员成功制作出整合光子与电子元件的单芯片，采用45纳米SOI CMOS制程，兼容现有设计工具，实现大规模生产。芯片集成7000万个晶体管和850个光子元件，可直接通过光通信与外部元件通讯，无需额外芯片。该芯片每平方毫米的频宽密度达300 Gbps，是现有电子微处理器的10至50倍。新技术有望降低功耗，增加芯片通讯频宽，助力百万兆级运算。
美国加州大学柏克莱分校等机构研究人员成功制作出整合光子与电子元件的单芯片，该芯片采用45纳米SOI CMOS制程，可大量生产。芯片内建光电发射器和接收器，实现微处理器与外接元件的光通信，频宽密度高达300 Gbps，是现有电子微处理器的10~50倍。
